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 Transient Thermoreflectance for Gate Temperature Assessment in Pulse Operated GaN-Based HEMTs 脉冲操作GaN基HEMT栅极温度评估的瞬态热反射率
相关领域
材料科学
瞬态（计算机编程）
光电子学
温度测量
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MOSFET
光学
栅氧化层
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Sara Martin-Horcajo; James W. Pomeroy; Benoît Lambert; Helmut Jung; H. Blanck; et al 出版日期：2016-07-27 |
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