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Comprehensive investigations on defects’ stability caused lateral charge loss in Ti-doped 3D NAND
掺钛三维NAND中缺陷稳定性引起横向电荷损失的综合研究
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兴奋剂 与非门 电荷（物理） 材料科学 光电子学 纳米技术 物理 电气工程 逻辑门 工程类 量子力学
网址
https://doi.org/10.35848/1347-4065/ad879e
DOI
10.35848/1347-4065/ad879e doi
其它 期刊：Japanese Journal of Applied Physics
作者：Fei Wang; Hongchen Yu; Xue Lv; Zhicheng Wang
出版日期：2024-10-16
求助人
123456 在 2024-11-01 17:31:50 发布自山东，悬赏 10 积分
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