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Investigation of the Trap States and V th Instability in Normally-Off GaN MIS-FETs With LPCVD SiN x /PEALD AlN Gate Dielectric Stack and In Situ H2/N2 Plasma Pretreatment
LPCVD、SiN、x/PEALD、AlN栅介质叠层和原位H2/N2等离子体预处理的GaN MIS-FET中陷阱态和V th不稳定性的研究
相关领域
钝化
材料科学
电介质
氮化硅
原子层沉积
氮化镓
等离子体
分析化学(期刊)
光电子学
纳米技术
物理
薄膜
硅
化学
图层(电子)
量子力学
有机化学
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其它 |
期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Chung-Ching Huang; Jinyan Wang; Maojun Wang; Jin‐Sheng He; Mengjun Li; et al 出版日期:2023-11-01 |
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