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![]() 三维数值模拟研究无结双栅6T SRAM单元的辐射灵敏度
相关领域
静态随机存取存储器
辐射
光电子学
泄漏(经济)
辐射硬化
双闸门
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光学
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经济
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期刊:Microelectronics Reliability 作者:D. Munteanu; J.L. Autran 出版日期:2014-08-11 |
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