标题 |
Atomistic Mechanism of 4 H - SiC/SiO2 Interface Carrier-Trapping Effects on Breakdown-Voltage Degradation in Power Devices
4H-SiC/SiO2界面载流子俘获效应对功率器件击穿电压下降的原子机理
相关领域
物理
材料科学
结晶学
原子物理学
化学
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其它 |
期刊:Physical Review Applied 作者:Peng Dong; Pei Li; Shuai Zhang; Haoshu Tan; Zechen Hu; et al 出版日期:2021-03-02 |
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