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 Extremely Low Thermal Resistance of β-Ga2O3 MOSFETs by Co-integrated Design of Substrate Engineering and Device Packaging 通过衬底工程和器件封装的协同集成设计实现β-Ga2O3 MOSFET的极低热阻
相关领域
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期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：Zhenyu Qu; Yinfei Xie; Tiancheng Zhao; Wenhui Xu; Yang He; et al 出版日期：2024-10-10 |
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