Integration of GAA Monolayer MoS2 Nanosheet FETs with Gate First Process for Future 2D CFET Scaling

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标题	Integration of GAA Monolayer MoS2 Nanosheet FETs with Gate First Process for Future 2D CFET Scaling 用于未来2D CFET缩放的GAA单层MoS2纳米片FET与栅极优先工艺的集成相关领域纳米片单层缩放比例材料科学过程（计算）纳米技术光电子学逻辑门 MOSFET 计算机科学电子工程晶体管电气工程工程类电压几何学数学操作系统
网址	https://doi.org/10.1109/esserc62670.2024.10719449
DOI	10.1109/esserc62670.2024.10719449 doi
其它	期刊：作者：Fengben Xi; Himanshu Sharma; Xiangyu Wu; T. Schram; Daire Cott; et al 出版日期：2024-09-09
求助人	轻松元正在 2025-02-02 11:17:42 发布自河北，悬赏 10 积分
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