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 Highly Scalable Metal Induced Lateral Crystallization (MILC) Techniques for Vertical Si Channel in Ultra-High (> 300 Layers) 3D Flash Memory 超高（>300层）3D闪存中垂直硅沟道的高度可扩展金属诱导横向结晶（MILC）技术
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期刊：2022 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits) 作者：Naonori Ishihara; Y. Shimada; T. Ochi; S. Seto; Hiroshi Matsuo; et al 出版日期：2023-06-11 |
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