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50 A vertical GaN Schottky barrier diode on a free-standing GaN substrate with blocking voltage of 790 V
50具有790V阻断电压的独立GaN衬底上的垂直GaN肖特基势垒二极管
相关领域
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期刊:Applied Physics Express 作者:Nariaki Tanaka; Kazuya Hasegawa; Kota Yasunishi; N. Murakami; Tohru OKA 出版日期:2015-06-16 |
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