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 Channel Properties of SiC Trench-Etched Double-Implanted MOS (TED MOS) SiC沟槽刻蚀双注入MOS（TED MOS）的沟道特性
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Naoki Tega; D. Hisamoto; Akio Shima; Yasuhiro Shimamoto 出版日期：2016-08-05 |
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