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Reconfiguration of Intrinsic Depletion‐Mode Characteristics of MoS2 Field‐Effect Transistors to High‐Performance Enhancement‐Mode Operation Using an Argon Plasma‐Induced p‐Type Doping Technique
使用氩等离子体诱导p型掺杂技术将MoS2场效应晶体管的本征耗尽模式特性重新配置为高性能增强模式
相关领域
兴奋剂
材料科学
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期刊:Small methods 作者:Anand Kumar; Asif Shah; Aadil Bashir Dar; Jeevesh Kumar; Mayank Shrivastava 出版日期:2024-12-17 |
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