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 Improved Threshold Switching and Endurance Characteristics Using Controlled Atomic‐Scale Switching in a 0.5 nm Thick Stoichiometric HfO 2 Layer 相关领域
材料科学
化学计量学
图层（电子）
光电子学
原子单位
比例（比率）
纳米技术
量子力学
物理
有机化学
化学
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期刊：Advanced electronic materials 作者：Seung-Woo Lee; Writam Banerjee; Sangmin Lee; Changhyuck Sung; Hyunsang Hwang 出版日期：2021-02-01 |
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