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 A 55nm Ultra Low Leakage Deeply Depleted Channel technology optimized for energy minimization in subthreshold SRAM and logic 一种针对亚阈值SRAM和逻辑中能量最小化而优化的55nm超低泄漏深耗尽沟道技术
相关领域
阈下传导
泄漏（经济）
静态随机存取存储器
电子工程
计算机科学
电气工程
炸薯条
CMOS芯片
逻辑门
滤波器（信号处理）
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工程类
电压
晶体管
宏观经济学
经济
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期刊： 作者：Harsh N. Patel; Abhishek Roy; Farah B. Yahya; Ningxi Liu; Benton H. Calhoun; et al 出版日期：2016-09-01 |
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