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Non‐Polar a‐Plane AlN Growth on Nitrided r‐Plane Sapphire by Ga–Al Liquid‐Phase Epitaxy
用Ga-Al液相外延法在氮化r面蓝宝石上生长非极性A面AlN
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期刊:physica status solidi (b) 作者:Masayoshi Adachi; Hiroyuki Fukuyama 出版日期:2017-11-17 |
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