A 1.86-kV double-layered NiO/β-Ga2O3 vertical p–n heterojunction diode

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标题	A 1.86-kV double-layered NiO/β-Ga2O3 vertical p–n heterojunction diode 1.86 kV双层NiO/β-Ga2O3垂直p-n异质结二极管相关领域异质结二极管非阻塞I/O 电场肖特基二极管材料科学光电子学击穿电压功勋肖特基势垒反向漏电流电流密度宽禁带半导体凝聚态物理电压化学电气工程物理工程类催化作用量子力学生物化学
网址	https://doi.org/10.1063/5.0010052
DOI	10.1063/5.0010052 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：H. Gong; X. R. Chen; Yong Xu; Feng Ren; S. D. Gu; et al 出版日期：2020-07-14
求助人	凸迩丝儿在 2025-01-03 16:34:36 发布自福建，悬赏 10 积分
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