标题 |
Model on transport phenomena and epitaxial growth of silicon thin film in SiHCl3H2 system under atmospheric pressure
大气压下SiHCl3~H2体系中硅薄膜外延生长与输运模型
相关领域
外延
增长率
硅
大气压力
基质(水族馆)
化学吸附
分解
化学
材料科学
化学物理
物理化学
化学工程
催化作用
光电子学
纳米技术
有机化学
物理
气象学
地质学
几何学
图层(电子)
工程类
海洋学
数学
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:Journal of Crystal Growth 作者:Hitoshi Habuka; Takatoshi Nagoya; Masanori Mayusumi; Masatake Katayama; Manabu Shimada; Kikuo Okuyama 出版日期:2003-05-13 |
求助人 | |
下载 | |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|