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 One Micrometer Channel Length, Coplanar Polycrystalline InGaO Thin Film Transistors Exhibiting 85 cm2 V−1 s−1 Mobility and Excellent Bias Stabilities by Using Offset Engineering 一微米沟道长度、共面多晶InGaO薄膜晶体管通过使用偏移工程表现出85cm2V−1S−1迁移率和优异的偏置稳定性
相关领域
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薄膜晶体管
千分尺
微晶
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光学
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期刊：Advanced Functional Materials 作者：Md. Hasnat Rabbi; Md. Redowan Mahmud Arnob; Sabiqun Nahar; Abul Tooshil; Jin Jang 出版日期：2024-12-09 |
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