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![]() AlGaN/GaN双沟道HEMT
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高电子迁移率晶体管
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晶体管
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电气工程
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期刊:Journal of Semiconductors 作者:Quan Si; Yue Hao; Xiaohua Ma; Zheng Peng-Tian; Yuanbin Xie 出版日期:2010-04-01 |
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