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 Demonstration of AlGaN/GaN-based ultraviolet phototransistor with a record high responsivity over 3.6 × 107 A/W AlGaN/GaN基紫外光电晶体管的演示，其响应度超过3.6 × 107 A/W
相关领域
光探测
响应度
光电子学
材料科学
高电子迁移率晶体管
光电导性
光电二极管
紫外线
光电探测器
晶体管
物理
电压
量子力学
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Haochen Zhang; Fangzhou Liang; Kang‐Il Song; Chong Xing; Danhao Wang; et al 出版日期：2021-06-14 |
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