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Interfacial Reaction Boosts Thermal Conductance of Room‐Temperature Integrated Semiconductor Interfaces Stable up to 1100 °C
界面反应提高室温集成半导体界面的热导率稳定高达1100°C
相关领域
材料科学
半导体
电导
热的
热导率
纳米技术
化学工程
光电子学
复合材料
凝聚态物理
热力学
物理
工程类
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期刊:Advanced Electronic Materials 作者:Xiaoyang Ji; Zifeng Huang; Yutaka Ohno; Koji Inoue; Yasusyohi Nagai; et al 出版日期:2024-10-14 |
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