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 The Influence of Extended Defects in 4H-SiC Epitaxial Layers on Gate Oxide Performance and Reliability 4H-SiC外延层扩展缺陷对栅氧化层性能和可靠性的影响
相关领域
随时间变化的栅氧化层击穿
材料科学
光电子学
外延
栅氧化层
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期刊：Materials Science Forum 作者：Holger Schlichting; Minwho Lim; Thomas Becker; Birgit Kallinger; Tobias Erlbacher 出版日期：2023-05-31 |
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