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 AlGaN/GaN HEMT-based MHM Ultraviolet Phototransistor with Bent-Gate Structure 基于AlGaN/GaN HEMT的弯曲栅结构MHM紫外光电晶体管
相关领域
高电子迁移率晶体管
光电子学
材料科学
弯曲分子几何
紫外线
光电二极管
硅
砷化镓
晶体管
光学
物理
电气工程
电压
工程类
复合材料
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| 其它 |
期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Biao Gong; Mei Ge; Xiao Wang; Bingjie Ye; И. Н. Пархоменко; et al 出版日期：2024-10-18 |
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