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 Identification of dislocations in 4H-SiC epitaxial layers and substrates using photoluminescence imaging 用光致发光成像识别4H-SiC外延层和衬底中的位错
相关领域
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期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Chihiro Kawahara; Jun Suda; Tsunenobu Kimoto 出版日期：2014-01-17 |
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