| 标题 |
 Suppression of Anomalous Gate Edge Leakage Current by Control of Ni Silicidation Region using Si Ion Implantation Technique 用Si离子注入技术控制Ni硅化区抑制栅边异常漏电流
相关领域
材料科学
CMOS芯片
光电子学
离子注入
静态随机存取存储器
泄漏（经济）
硅化物
GSM演进的增强数据速率
MOSFET
电流（流体）
硅
电子工程
电气工程
离子
晶体管
电压
化学
计算机科学
工程类
宏观经济学
经济
有机化学
电信
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊： 作者：Tadashi Yamaguchi; Keiichiro Kashihara; T. Okudaira; Toshihiko Tsutsumi; Kazuyoshi Maekawa; et al 出版日期：2006-01-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
shinysparrow
AireenBeryl531
Singularity
轩辕寄风
可口可乐了
SciGPT
mmyhn
玫瑰窃贼（情绪稳定版）
共享精神
Owen
皖公网安备34019202002308
