Non-Damaging Growth and Band Alignment of p-type NiO/β-Ga2O3 Heterojunction Diodes for High Power Applications

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标题	Non-Damaging Growth and Band Alignment of p-type NiO/β-Ga2O3 Heterojunction Diodes for High Power Applications 大功率p型NiO/β-Ga2O3异质结二极管的无损生长和能带排列相关领域非阻塞I/O 异质结光电子学二极管材料科学功率（物理）物理化学生物化学量子力学催化作用
网址	https://doi.org/10.1039/d3tc04268e
DOI	10.1039/d3tc04268e doi
其它	期刊：Journal of Materials Chemistry C 作者：Ji Young Min; Madani Labed; Chowdam Venkata Prasad; Jung Yeop Hong; Young-Kyun Jung; et al 出版日期：2024-01-01
求助人	减学在 2024-11-09 21:50:43 发布自法国，悬赏 10 积分
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