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 Design and Fabrication of 1.92 kV 4H-SiC Super-Junction SBD With Wide-Trench Termination 宽沟端接1.92 kV 4H-SiC超结SBD的设计与制作
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Baozhu Wang; Hengyu Wang; Ce Wang; Na Ren; Qing Guo; et al 出版日期：2021-11-01 |
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