标题 |
Endurance > 1011 Cycling of 3D GAA Nanosheet Ferroelectric FET with Stacked HfZrO2 to Homogenize Corner Field Toward Mitigate Dead Zone for High-Density eNVM
具有堆叠HfZrO2的3D GAA纳米片铁电FET的耐久性>1011循环,以均匀角场以减轻高密度eNVM的死区
相关领域
纳米片
铁电性
锡
物理
材料科学
纳米技术
光电子学
电介质
冶金
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DOI | |
其它 |
期刊:2022 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits) 作者:C.-Y. Liao; K.-Y. Hsiang; Zaizhu Lou; Hsien‐Cheng Tseng; Cheng-Hung Lin; et al 出版日期:2022-06-12 |
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