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 The effect of AlN buffer layer on GaN grown on (111)-oriented Si substrates by MOCVD AlN缓冲层对(111)取向Si衬底上MOCVD生长GaN的影响
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期刊：Journal of Crystal Growth 作者：S. Zamir; B. Meyler; E. Zolotoyabko; J. Salzman 出版日期：2000-09-01 |
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