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 Comparison of AlGaN/GaN HEMTs grown and fabricated on sapphire substrate with AIN and GaN nucleation layers 在蓝宝石衬底上生长和制备具有AIN和GaN成核层的AlGaN/GaN HEMT的比较
相关领域
成核
材料科学
蓝宝石
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光电子学
宽禁带半导体
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晶体管
复合材料
化学
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激光器
海洋学
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期刊： 作者：Nan Gao; Yulong Fang; Jun Yin; Boyu Wang; Yu Guo; et al 出版日期：2017-11-01 |
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