标题 |
Engineering the insulator-to-metal transition by tuning the population of dopant defects: first principles simulations of Se hyperdoped Si
通过调节掺杂剂缺陷群体设计绝缘体到金属的转变:Se超掺杂Si的第一性原理模拟
相关领域
掺杂剂
人口
兴奋剂
材料科学
光电子学
人口学
社会学
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DOI | |
其它 |
期刊:Semiconductor Science and Technology 作者:A. Debernardi 出版日期:2022-10-27 |
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