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 Contact Resistance Engineering in WS2-Based FET with MoS2 Under-Contact Interlayer: A Statistical Approach 具有MoS2下接触夹层的WS2基FET的接触电阻工程：一种统计方法
相关领域
材料科学
接触电阻
纳米技术
工程物理
工程类
图层（电子）
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| 其它 |
期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：Małgorzata Giza; Michał Świniarski; Arkadiusz P. Gertych; Karolina Czerniak-Łosiewicz; Maciej Rogala; et al 出版日期：2024-08-26 |
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