Contact Resistance Engineering in WS2-Based FET with MoS2 Under-Contact Interlayer: A Statistical Approach

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标题	Contact Resistance Engineering in WS2-Based FET with MoS2 Under-Contact Interlayer: A Statistical Approach 具有MoS2下接触夹层的WS2基FET的接触电阻工程：一种统计方法相关领域材料科学接触电阻纳米技术工程物理工程类图层（电子）
网址	https://doi.org/10.1021/acsami.4c09688
DOI	10.1021/acsami.4c09688 doi
其它	期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：Małgorzata Giza; Michał Świniarski; Arkadiusz P. Gertych; Karolina Czerniak-Łosiewicz; Maciej Rogala; et al 出版日期：2024-08-26
求助人	lty 在 2024-11-23 14:59:28 发布自四川，悬赏 10 积分
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