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Investigation of the Dislocation Behavior of 6- and 8-Inch AlGaN/GaN HEMT Structures with a Thin AlGaN Buffer Layer Grown on Si Substrates
在Si衬底上生长具有薄AlGaN缓冲层的6英寸和8英寸AlGaN/GaN HEMT结构的位错行为研究
相关领域
材料科学
高电子迁移率晶体管
缓冲器(光纤)
位错
图层(电子)
光电子学
复合材料
晶体管
电气工程
电压
工程类
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DOI | |
其它 |
期刊:Inorganics 作者:Yujie Yan; Jun Huang; Lei Pan; Biao Meng; Qiangmin Wei; et al 出版日期:2024-07-30 |
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