Performance improvement of InGaN LEDs by using strain compensated last quantum barrier and electron blocking layer

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标题	Performance improvement of InGaN LEDs by using strain compensated last quantum barrier and electron blocking layer 应变补偿最后量子势垒和电子阻挡层对InGaN发光二极管性能的改善相关领域电压降材料科学光电子学超晶格发光二极管电子波段图二极管带隙量子效率量子阱光学功率（物理）物理激光器量子力学分压器
网址	https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S003040262...
DOI	10.1016/j.ijleo.2021.168216 doi
其它	期刊：Optik 作者：Chuanyu Jia; Chenguang He; Qi Wang; Zhizhong Chen 出版日期：2021-10-25
求助人	Alin 在 2025-01-14 16:51:44 发布自北京，悬赏 10 积分
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