The effect of SiNx film for H plasma implantation in p-GaN/AlGaN/GaN high electron mobility transistors

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标题	The effect of SiNx film for H plasma implantation in p-GaN/AlGaN/GaN high electron mobility transistors 相关领域材料科学光电子学等离子体晶体管图层（电子）阻挡层阈值电压泄漏（经济）反向漏电流电压纳米技术电气工程宏观经济学工程类物理量子力学二极管肖特基势垒经济
网址	https://doi.org/10.35848/1882-0786/ac7a90
DOI	10.35848/1882-0786/ac7a90 doi
其它	期刊：Applied Physics Express 作者：Xingjie Huang; Yanhui Xing; Guohao Yu; Wen-Xin Tang; Xing Wei; et al 出版日期：2022-06-20
求助人	慕晓丝在 2023-05-19 17:55:47 发布自陕西，悬赏 10 积分
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