标题 |
Reduction of the temperature dependence of leakage current of IGBTs by field-stop design
通过场阻设计降低IGBTs泄漏电流的温度依赖性
相关领域
泄漏(经济)
还原(数学)
材料科学
电流(流体)
工程物理
电气工程
领域(数学)
核工程
光电子学
电子工程
工程类
几何学
数学
宏观经济学
经济
纯数学
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:2011 IEEE 23rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs 作者:H.-J. Schulze; S. Voss; H. Huesken; F.-J. Niedernostheide 出版日期:2011-09-13 |
求助人 | |
下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|