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 The Analysis of the Breakdown Voltage according to the Change of JTE Structures and Design Parameters of 4H-SiC Devices 4H-SiC器件JTE结构和设计参数变化对击穿电压的分析
相关领域
材料科学
击穿电压
工程物理
光电子学
电压
电气工程
工程类
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期刊：Journal of IKEEE 作者：Yoon‐Mo Koo; Doo-Hyung Cho; Kwangsoo Kim 出版日期：2015-12-31 |
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