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标题
Influence of Gate-Drain Spacing on the Power Performance of GaN HEMTs
栅漏间距对GaN HEMTs功率性能的影响
网址
求助人暂未提供
DOI
暂未提供,该求助的时间将会延长,查看原因?
其它 IEEE Transactions on Electron Devices, 2013
求助人
link 在 2024-08-21 15:27:31 发布自广东,悬赏 10 积分
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求助 / 应助时间线
  • 2个月前,求助关闭

    link link 求助人 Lv5 关闭了本次求助。

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  • 2个月前

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