Influence of Gate-Drain Spacing on the Power Performance of GaN HEMTs

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标题	Influence of Gate-Drain Spacing on the Power Performance of GaN HEMTs 栅漏间距对GaN HEMTs功率性能的影响
网址	求助人暂未提供
DOI	暂未提供，该求助的时间将会延长，查看原因？
其它	IEEE Transactions on Electron Devices, 2013
求助人	link 在 2024-08-21 15:27:31 发布自广东，悬赏 10 积分
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