发布文献求助

link

Lv5

1520 积分 2022-12-30 加入

最近求助
最近应助
互助留言

Trap characterization in AlGaN/GaN HEMT by analyzing frequency dispersion in capacitance and conductance 2个月前 已完结
Admittance frequency dispersion in lateral AlGaN/GaN Schottky barrier diodes: Other origins of two Gp/ω peaks 2个月前 已关闭
Charge-based continuous model for long-channel Symmetric Double-Gate Junctionless Transistors 2个月前 已完结
Modeling of GaN HEMT Power Amplifiers for Wireless Communications 2个月前 已关闭
Thermal Effects on the Power Performance of GaN HEMTs 2个月前 已关闭
Influence of Buffer Design on the Power Performance of GaN HEMTs 2个月前 已关闭
Optimization of GaN HEMT Device Structure for High Power and High Efficiency Applications 2个月前 已关闭
Influence of Gate-Drain Spacing on the Power Performance of GaN HEMTs 2个月前 已关闭
GaN-on-diamond wafers:recent developments 3个月前 已关闭
DC/RF Hysteresis in Microwave pHEMT Amplifier Induced by Gate Current—Diagnosis and Elimination 4个月前 已完结

没有进行任何应助

最近帖子
最近评论

没有发布任何帖子

没有发布任何评论

Copyright © 2020-2024 AbleSci.COM, 科研通, All Right Reserved

科研通是非营利科研互助平台，不忘初心，为科研助力

本站互助的所有文件仅供个人学习研究用，禁止任何人把求助的所得文献进行盈利或传播

皖ICP备2024041134号-1

皖公网安备34019202002308

科研通【文献互助QQ群】：如果您有特殊求助，或发布求助超过24小时未得到应助，可加群求助，群号：826996720【点击一键加群】

科研通【志愿服务QQ群】：如果您热爱文献互助，有热心愿意为更多人服务，请加入小伙伴群，点击申请加入

关注微信服务号

科研通