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标题
Selective Etching of SiO2 by Radical Recombination through NF3/H2 Pulsed RF Plasma
NF3/H2脉冲射频等离子体自由基复合选择性刻蚀SiO2
相关领域
选择性 蚀刻(微加工) 等离子体 材料科学 反应离子刻蚀 干法蚀刻 等离子体刻蚀 光电子学 无线电频率 分析化学(期刊) 化学 纳米技术 物理 生物化学 图层(电子) 量子力学 电信 色谱法 计算机科学 催化作用
网址
DOI
10.1021/acsaelm.4c01828 doi
其它 期刊:ACS applied electronic materials
作者:Dae Whan Kim; Hong Seong Gil; Wonse Park; Ji Yeon Lee; Doo San Kim; et al
出版日期:2024-12-20
求助人
芬里尔 在 2025-04-21 17:49:08 发布自上海,悬赏 10 积分
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