Evolution of 200V lateral-IGBT technology

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标题	Evolution of 200V lateral-IGBT technology 200V横向IGBT技术的发展相关领域绝缘栅双极晶体管绝缘体上的硅共发射极材料科学光电子学双极结晶体管安全操作区绝缘体（电）晶体管电压电流注入技术硅兴奋剂电气工程工程类
网址	https://doi.org/10.1109/ispsd.2014.6856067
DOI	10.1109/ispsd.2014.6856067 doi
其它	期刊：作者：Mikio Tsujiuchi; Tetsuya Nitta; T. Ippōshi; Shigeto Maegawa 出版日期：2014-06-01
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