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 p-Type Oxide Thin-Film Transistor with Unprecedented Hole Field-Effect Mobility for an All-Oxide CMOS CFET-like Inverter Suitable for Monolithic 3D Integration 具有前所未有的孔场效应迁移率的p型氧化物薄膜晶体管，用于适合单片3D集成的全氧化物COCFET类反相器
相关领域
CMOS芯片
材料科学
氧化物
逆变器
光电子学
场效应晶体管
晶体管
薄膜晶体管
电子迁移率
纳米技术
电气工程
工程类
图层（电子）
电压
冶金
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| 其它 |
期刊：Nano Letters 作者：Jiqing Lu; Mei Shen; Xuewei Feng; Tian Tan; Haoyue Guo; et al 出版日期：2024-11-19 |
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