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Vertical GaN-based power devices on bulk GaN substrates for future power switching systems
用于未来功率开关系统的体GaN衬底上的垂直GaN基功率器件
相关领域
材料科学
光电子学
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期刊: 作者:Daisuke Sugiyama; Ryo Kajitani; Hiroyuki Handa; Nanako Shiozaki; Shinji Ujita; et al 出版日期:2018-02-23 |
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