Single-Event Gate Rupture Hardened Structure for High-Voltage Super-Junction Power MOSFETs

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标题	Single-Event Gate Rupture Hardened Structure for High-Voltage Super-Junction Power MOSFETs 高压超级结功率MOSFET的单事件栅极破裂硬化结构相关领域功率MOSFET 沟槽栅氧化层 MOSFET 光电子学浅沟隔离材料科学电气工程晶体管平面的击穿电压功率半导体器件金属浇口场效应晶体管阈值电压电压工程类计算机科学图层（电子）纳米技术计算机图形学（图像）
网址	https://doi.org/10.1109/ted.2021.3091952
DOI	10.1109/ted.2021.3091952 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：K. Muthuseenu; Hugh J. Barnaby; K.F. Galloway; A. E. Koziukov; Т. A. Maksimenko; et al 出版日期：2021-07-08
求助人	心心哈在 2024-12-04 13:51:23 发布自陕西，悬赏 10 积分
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