Thinning Solution‐proceed 2D Te for p‐ and n‐channel Junction Field Effect Transistor with High Mobility and Ideal Subthreshold Slope

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标题	Thinning Solution‐proceed 2D Te for p‐ and n‐channel Junction Field Effect Transistor with High Mobility and Ideal Subthreshold Slope 具有高迁移率和理想亚阈值斜率的p沟道和n沟道结场效应晶体管的减薄解决方案——进行二维Te 相关领域 JFET公司材料科学光电子学晶体管电子迁移率场效应晶体管阈下斜率二极管饱和电流阈值电压电气工程纳米技术电压工程类
网址	https://doi.org/10.1002/adfm.202316488
DOI	10.1002/adfm.202316488 doi
其它	期刊：Advanced Functional Materials 作者：Lingyu Zhu; Jielian Zhang; Xinhao Chen; Nabuqi Bu; Tao Zheng; et al 出版日期：2024-04-22
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