NBTI reliability on high-k metal-gate SiGe transistor and circuit performances

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标题	NBTI reliability on high-k metal-gate SiGe transistor and circuit performances 高k金属栅SiGe晶体管NBTI可靠性与电路性能相关领域负偏压温度不稳定性材料科学可靠性（半导体） MOSFET 光电子学逆变器晶体管共栅金属浇口噪音（视频） CMOS芯片电气工程放大器电子工程功率（物理）栅氧化层工程类计算机科学电压物理人工智能图像（数学）量子力学
网址	https://doi.org/10.1016/j.microrel.2010.12.015
DOI	10.1016/j.microrel.2010.12.015 doi
其它	期刊：Microelectronics reliability/Microelectronics and reliability 作者：J.S. Yuan; Wen Kuan Yeh; Shuyu Chen; Chia Wei Hsu 出版日期：2011-05-01
求助人	Channy 在 2024-05-26 20:17:44 发布自陕西，悬赏 10 积分
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