标题 |
GaN-based power high-electron-mobility transistors on Si substrates: from materials to devices
硅衬底上GaN基功率高电子迁移率晶体管:从材料到器件
相关领域
材料科学
光电子学
高电子迁移率晶体管
功率半导体器件
氮化镓
制作
晶体管
工程物理
电子迁移率
数码产品
电力电子
电气工程
纳米技术
图层(电子)
电压
病理
替代医学
工程类
医学
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其它 |
期刊:Semiconductor Science and Technology 作者:Nengtao Wu; Zhiheng Xing; Shanjie Li; Lixia Luo; Fanyi Zeng; et al 出版日期:2023-04-25 |
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