| 标题 |
 Effects of ain buffer layer on crystallographic structure and on electrical and optical properties of GaN and Ga1−AlN (0 < x ≦ 0.4) films grown on sapphire substrate by MOVPE |
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| 其它 |
期刊：Journal of crystal growth 作者：Isamu Akasaki; Hiroshi Amano; Yasuo Koide; Kazumasa Hiramatsu; Nobuhiko Sawaki 出版日期：1989-11-01 |
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