标题 |
Self-aligned TiOx-based 3D vertical memristor for a high-density synaptic array
用于高密度突触阵列的自对准TiOx基三维垂直忆阻器
相关领域
记忆电阻器
材料科学
神经科学
纳米技术
计算机科学
心理学
电气工程
工程类
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DOI | |
其它 |
期刊:Frontiers of Physics 作者:Subaek Lee; J. Kim; Sungjun Kim 出版日期:2024-07-03 |
求助人 | |
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