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Growth of β-Ga2O3 Single Crystals by the Edge-Defined, Film Fed Growth Method
用边缘限定薄膜加料生长法生长β-Ga2O3单晶
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期刊:Japanese Journal of Applied Physics 作者:Hideo Aida; Nishiguchi Kengo; Hidetoshi Takeda; Natsuko Aota; Kazuhiko Sunakawa; et al 出版日期:2008-11-01 |
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