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Low density of interface trap states and temperature dependence study of Ga2O3 Schottky barrier diode with p-NiOx termination
p-NiOx端Ga2O3肖特基势垒二极管的低密度界面陷阱态及温度依赖性研究
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期刊:Applied Physics Letters 作者:Qinglong Yan; Hehe Gong; Hong Zhou; Jincheng Zhang; Jiandong Ye; et al 出版日期:2022-02-28 |
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